000			01468nam a2200289 a 4500
003			ISI-VAST
005			20151001104306.0
008			040218s2003 xxu|||||||||||||||||vie||
041			_avie
084			_a29,19
088			_a01.02.18
100			_aLê, Bá Hải _uViện Vật lý
245			_aTán xạ Raman trong cấu trúc Ga1-x, Alx As/GaAs pha tạp _cLê Bá Hải; Hướng dẫn: TS. Nguyễn Xuân Nghĩa
260			_aHà Nội _bViện Vật lý _c2003
300			_a60tr.
502			_aLuận án Thạc sĩ Vật lý
502			_aViện Vật lý
520			_aLuận án nghiên cứu tán xạ Raman trong môi trường bất trật tự Ga1-x Alx As, ảnh hưởng của hàm lượng Al đến các đặc trưng của phổ Raman, nghiên cứu tương tác phonon LO - Plasmon trong các vật liệu khác nhau và có độ dẫn khác nhau của cấu trúcGa1-x Alx As/ GaAs, xác định nồng độ hạt tải tự do trong vật liệu GaAs có độ dẫn điện loại n và loại p, khảo sát một số dạng defect trên bề mặt màng Ga1-x Alx As
653			_aQuang phổ
653			_aTán xạ Raman
653			_aVật lý
653			_aVật lý kỹ thuật
700			_cTS. _aNguyễn, Xuân Nghĩa _e Người hướng dẫn 1
900			_aHà Nội
911			_aNgười nhập: Nguyễn Thị Cơ _bNgày nhập: 18/02/2004 _aNgười XL: Đặng Thu Minh _bNgày XL: 25/12/2003
942			_cLA
999			_c3315 _d3315