Kết quả đề tài: Đạt

Nhằm giảm giá thành đơn tinh thể khối GaP. Giảm giá thành của linh kiện GaP, tiết kiệm dung môi Ga, tăng năng suất kết tinh vật liệu trên đế, dùng công nghệ khuếch tán

Năm bắt đầu thực hiện: 1984

Năm kết thúc thực hiện: 1984

Năm nghiệm thu: 31/12/1984

Qua một thời gian nghiên cứu, thử nghiệm tập thể tác giả đã thiết kế và xây dựng thành công một qui trình công nghệ chế tạo diode phát quang đỏ GaP thích hợp với sản xuất hàng loạt. Đây là một qui trình đơn giản, tiết kiệm, sử dụng phương pháp tạo chuyên tiếp p-n tiên tiến và kinh tế không đòi hỏi thiết bị công nghệ đắt tiền và đầu tư lớn, hợp với điều kiện Việt Nam hiện nay. Bằng các thiết bị phần lớn là tự tạo chúng tôi đã triển khai sản xuất thử hàng loạt nhỏ (4000-5000 diode mỗi đợt thí nghiệm) có các thông số đạt yêu cầu sử dụng, chất lượng tương đương với linh kiện cùng loại sản xuất ở các nước xã hội chủ nghĩa khác, giá thành hạ độ lặp lại cao. \Thành công của qui trình này có ý nghĩa không chỉ ở chỗ là nó tạo ra tiền đề cho việc sản xuất linh kiện phát quang công nghiệp tiên tiến và kinh tế mà còn đặt ra các vấn đề nghiên cứu có tính chất cơ bản và thời sự trong lĩnh vực vật lý và công nghệ linh kiện như: động học kết tinh từ pha lỏng, ảnh hưởng của các yếu tố công nghệ lên chất lượng và độ đồng đều của vật liệu và linh kiện, sự già hoá và độ tin cậy của linh kiện....đã và đang được các tác giả triển khai. \Tất nhiên việc triển khai sản xuất linh kiện phá quang với qui mô lớn hơn ở nước ta còn phụ thuộc vào nhiều yếu tố khách quan như nhu cầu tiêu thụ, vật liệu gốc, nhân lực, thiết bị... Về phía tác giả nếu như có nhu cầu sản xuất và được đầu tư thêm sẽ tiếp tục hoàn thiện qui trình, nghiên cứu cải tiến khâu lắp ráp để đạt hiệu suất cao hơn, tăng độ tin cậy và tuổi thọ của linh kiện, hạ giá thành sản phẩm. Theo hướng này có thể hy vọng rằng trong tương lai không xa chúng ta sẽ có các diode phát quan rẻ tiền đạt tiêu chuẩn quốc tế, phục vụ cho các yêu cầu khác nhau của ngành kỹ thuật điện tử và xuất khẩu

Trình bày cụ thể về qui trình công nghệ này và kết quả khảo sát một số đặc trưng cơ bản của diode phát quan đỏ GaP chế tạo được tại Viện Vật lý

Điện tử Nhà nước