Thế quang điện trên chuyển tiếp P-N của Laser module đơn mode InGa AsP/InP ở bước sóng 1310 mm dùng trong thông tin cáp quang
Tác giả: Trần, Thị Phúc; TS. Vũ, Văn Lực [ Người hướng dẫn 1].
Kiểu tài liệu:
SáchXuất bản: Hà Nội Viện Vật lý 1999Mô tả vật lý: 58tr.Số báo cáo: 01.02.18Chủ đề: In Ga As P/InP | Laser diode | Quang học | Quang phổ | Thông tin cáp quang | Vật lýGhi chú luận văn: Luận án Thạc sĩ Vật lýViện Vật lý Tóm tắt: Luận án nghiên cứu thế quang điện sinh ra trên chuyển tiếp p-n của laser diode bán dẫn In Ga As P/In P phát ở vùng sóng lamda bằng 1310 nm khi được chiếu bức xạ của laser module khác có cùng vùng bước sóng. Sử dụng kỹ thuật ghép nối truyền bức xạ từ module này sang module khác bằng connector loại FC và adapter quang. Nghiên cứu tính chất khuyến đại của chúng. Các Laser module có sẵn bề mặt là các mặt tách tinh thể (buồng cộng hưởng Fabrri - Pero) nên chúng đóng vai trò như một khuyếch đại cộng hưởng
| Kiểu tài liệu | Kho hiện tại | Ký hiệu phân loại | Trạng thái | Ghi chú | Ngày hết hạn | ĐKCB | Số lượng đặt mượn |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Luận án, Luận văn
|
Trung tâm Thông tin - Tư liệu
Trung tâm Thông tin - Tư liệu |
Sẵn sàng | Toàn văn luận án | Phòng sau Đại học, Viện Vật lý | LA0202 |
Tổng số đặt mượn: 0
Luận án Thạc sĩ Vật lý
Viện Vật lý
Luận án nghiên cứu thế quang điện sinh ra trên chuyển tiếp p-n của laser diode bán dẫn In Ga As P/In P phát ở vùng sóng lamda bằng 1310 nm khi được chiếu bức xạ của laser module khác có cùng vùng bước sóng. Sử dụng kỹ thuật ghép nối truyền bức xạ từ module này sang module khác bằng connector loại FC và adapter quang. Nghiên cứu tính chất khuyến đại của chúng. Các Laser module có sẵn bề mặt là các mặt tách tinh thể (buồng cộng hưởng Fabrri - Pero) nên chúng đóng vai trò như một khuyếch đại cộng hưởng
Hiện tại chưa có bình luận nào về tài liệu này.