Tán xạ Raman trong cấu trúc Ga1-x, Alx As/GaAs pha tạp
Tác giả: Lê, Bá Hải; TS. Nguyễn, Xuân Nghĩa [ Người hướng dẫn 1].
Kiểu tài liệu:
SáchXuất bản: Hà Nội Viện Vật lý 2003Mô tả vật lý: 60tr.Số báo cáo: 01.02.18Chủ đề: Quang phổ | Tán xạ Raman | Vật lý | Vật lý kỹ thuậtGhi chú luận văn: Luận án Thạc sĩ Vật lýViện Vật lý Tóm tắt: Luận án nghiên cứu tán xạ Raman trong môi trường bất trật tự Ga1-x Alx As, ảnh hưởng của hàm lượng Al đến các đặc trưng của phổ Raman, nghiên cứu tương tác phonon LO - Plasmon trong các vật liệu khác nhau và có độ dẫn khác nhau của cấu trúcGa1-x Alx As/ GaAs, xác định nồng độ hạt tải tự do trong vật liệu GaAs có độ dẫn điện loại n và loại p, khảo sát một số dạng defect trên bề mặt màng Ga1-x Alx As
| Kiểu tài liệu | Kho hiện tại | Ký hiệu phân loại | Trạng thái | Ghi chú | Ngày hết hạn | ĐKCB | Số lượng đặt mượn |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Luận án, Luận văn
|
Trung tâm Thông tin - Tư liệu
Trung tâm Thông tin - Tư liệu |
Sẵn sàng | Toàn văn luận án | LA41/500 |
Tổng số đặt mượn: 0
Luận án Thạc sĩ Vật lý
Viện Vật lý
Luận án nghiên cứu tán xạ Raman trong môi trường bất trật tự Ga1-x Alx As, ảnh hưởng của hàm lượng Al đến các đặc trưng của phổ Raman, nghiên cứu tương tác phonon LO - Plasmon trong các vật liệu khác nhau và có độ dẫn khác nhau của cấu trúcGa1-x Alx As/ GaAs, xác định nồng độ hạt tải tự do trong vật liệu GaAs có độ dẫn điện loại n và loại p, khảo sát một số dạng defect trên bề mặt màng Ga1-x Alx As
Hiện tại chưa có bình luận nào về tài liệu này.