GIỜ PHỤC VỤ BẠN ĐỌC

Từ thứ 2 đến thứ 6
- Sáng: 8:30 - 11:30
- Chiều: 13:30 - 16:30
Thứ 7, CN thư viện nghỉ
Hiển thị đơn giản Hiển thị MARC Hiển thị ISBD

Nghiên cứu chế tạo, nâng cao chất lượng đetectơ Ge siêu sạch dùng ghi phổ tia X và tia Gamma, và ứng dụng

Tác giả: Huỳnh, Thị Hà; PGS.TS. Đào, Trần Cao [ Người hướng dẫn 1]; PGS.TS. Nguyễn, Đức Chiến [ Người hướng dẫn 2].
Kiểu tài liệu: materialTypeLabelSáchXuất bản: Hà Nội Viện Khoa học Vật liệu 2003Mô tả vật lý: 24tr.Chủ đề: Đetectơ Ge siêu sạch | Khoa học vật liệu | Tia Gamma | Tia X | Vật liệuGhi chú luận văn: Tóm tắt luận án Tiến sĩ khoa học vật liệuViện Khoa học Vật liệu Tóm tắt: Do đetectơ Ge siêu sạch là bộ phận quan trọng nhất trong một hệ phổ kế bức xạ hạt nhân dùng đầu thu là đetectơ bán dẫn nên luận án đã giới thiệu về hệ phổ kế và đưa ra một quy trình công nghệ chế tạo đetectơ Ge siêu sạch. Ngoài việc khảo sát các đặc trưng điện và đặc trưng phổ, để đánh giá chất lượng và vùng ứng dụng tối ưu của đetectơ đã chế tạo. Với mục tiêu đưa đetectơ Ge siêu sạch vào ứng dụng trong phổ kế huỳnh quang tia X, một phương pháp phân tích định lượng vật liệu trên đối tượng là kim loại đã được đề cập. Các tác giả còn trình bày các nghiên cứu khảo sát quy trình chế tạo đetectơ Ge siêu sạch bức xạ hạt nhân áp dụng làm photođetectơ Ge vùng hồng ngoại
    Đánh giá trung bình: 0.0 (0 phiếu)
Kiểu tài liệu Kho hiện tại Ký hiệu phân loại Trạng thái Ghi chú Ngày hết hạn ĐKCB Số lượng đặt mượn
Luận án, Luận văn Luận án, Luận văn Trung tâm Thông tin - Tư liệu

Trung tâm Thông tin - Tư liệu

Phòng lưu trữ_P307
Sẵn sàng Tóm tắt luận án LA29/340
Tổng số đặt mượn: 0

Tóm tắt luận án Tiến sĩ khoa học vật liệu

Viện Khoa học Vật liệu

Do đetectơ Ge siêu sạch là bộ phận quan trọng nhất trong một hệ phổ kế bức xạ hạt nhân dùng đầu thu là đetectơ bán dẫn nên luận án đã giới thiệu về hệ phổ kế và đưa ra một quy trình công nghệ chế tạo đetectơ Ge siêu sạch. Ngoài việc khảo sát các đặc trưng điện và đặc trưng phổ, để đánh giá chất lượng và vùng ứng dụng tối ưu của đetectơ đã chế tạo. Với mục tiêu đưa đetectơ Ge siêu sạch vào ứng dụng trong phổ kế huỳnh quang tia X, một phương pháp phân tích định lượng vật liệu trên đối tượng là kim loại đã được đề cập. Các tác giả còn trình bày các nghiên cứu khảo sát quy trình chế tạo đetectơ Ge siêu sạch bức xạ hạt nhân áp dụng làm photođetectơ Ge vùng hồng ngoại

Hiện tại chưa có bình luận nào về tài liệu này.

Đăng nhập để gửi bình luận.
VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM - TRUNG TÂM THÔNG TIN TƯ LIỆU
Địa chỉ: Nhà A11- Số 18 - Hoàng Quốc Việt - Hà Nội - Việt Nam
Điện thoại: 043.756 4344 - Fax: 043.756.4344
Email: vanthu@isi.vast.vn