Tóm tắt luận án Tiến sĩ Khoa học Vật liệu

Viện Khoa học Vật liệu

Luận án đã xây dựng và phát triển phương pháp nghiên cứu mối tương quan giữa cấu trúc và tính chất quang huỳnh quang của nano si xốp; các mode dao động và phổ quang huỳnh quang được ghi nhận bằng phương pháp micro - raman và micro - quang huỳnh quang trên cùng một vị trí mẫu. Hệ chấm lượng tử Ge/Si là đối tượng được quan tâm đặc biệt bởi có khả năng cải thiện tính chất quang và tính chất điện so với cấu trúc chuyển tiếp di thể thông thường. Để phát triển hiệu suất cầm giữ lượng tử cần thiết chế tạo dược chấm lượng tử Ge có kích thước cỡ vài chục nanomet với hàm phân bố kích thước hẹp. Luận án trình bày công nghệ tạo chấm lượng tử Ge bằng phương pháp lắng đọng hóa học có chọn lọc