Ionizing radiation effects in MOS Oxides /
Tác giả: Timothy R Oldham.
Kiểu tài liệu:
SáchTùng thư: International Series on Advances in Solid State Electronics and Technology.Xuất bản: Singapore : World Scientific, c1999Mô tả vật lý: xviii, 171 p. : ill. ; 25 cm.Số ISBN: 9810233264.Chủ đề: oxide semiconductors -- Effect of radiation | MOS oxides
| Kiểu tài liệu | Kho hiện tại | Ký hiệu phân loại | Trạng thái | Ngày hết hạn | ĐKCB | Số lượng đặt mượn |
|---|---|---|---|---|---|---|
Sách chuyên khảo
|
Trung tâm Thông tin - Tư liệu
Trung tâm Thông tin - Tư liệu |
621.3 (Xem kệ sách) | Sẵn sàng | ISI.LV04690 |
Tổng số đặt mượn: 0
Includes bibliographical references.
Click vào ảnh bìa để xem hình ảnh rõ hơn
Hiện tại chưa có bình luận nào về tài liệu này.