GIỜ PHỤC VỤ BẠN ĐỌC

Từ thứ 2 đến thứ 6
- Sáng: 8:30 - 11:30
- Chiều: 13:30 - 16:30
Thứ 7, CN thư viện nghỉ
Hiển thị đơn giản Hiển thị MARC Hiển thị ISBD

Vận chuyển điện tử trong các cấu trúc dị chất đơn cấu tạo từ các vật liệu wurtzite. /

Tác giả: Nguyễn, Thành Tiên; Đoàn, Nhật Quang GS. TS [Người hướng dẫn 1]; Vũ Ngọc Tước PGS. TS [Người hướng dẫn 2].
Kiểu tài liệu: materialTypeLabelSáchXuất bản: H. : Viện Vật lý - Viện Hàn lâm Khoa học & Công nghệ Việt Nam 2011Mô tả vật lý: 96 tr.Số báo cáo: 62.44.01.01Chủ đề: Vật lý bán dẫn | Vật lý bán dẫn | Điện động lực học | Nhiệt điện | Dòng điệnTóm tắt: Trình bày tổng quan về độ linh động 2DEG và phân tích các cơ chế tán xạ truyền thống ảnh hưởng đến sự vận chuyển của 2DEG hình thành trong cấu trúc dị chất. Nghiên cứu độ linh động điện tử trong giếng lượng tử bề mặt dừa trên ZnO pha tạp nặng dạng Gauss;tán xạ điện tử bằng thăng giáng nồng độ donor do bề mặt nhám; tán xạ điện tử bởi các điện tích phân cực định xứ trên bề mặt thực trong cấu trúc dị chất.
    Đánh giá trung bình: 0.0 (0 phiếu)

Trình bày tổng quan về độ linh động 2DEG và phân tích các cơ chế tán xạ truyền thống ảnh hưởng đến sự vận chuyển của 2DEG hình thành trong cấu trúc dị chất. Nghiên cứu độ linh động điện tử trong giếng lượng tử bề mặt dừa trên ZnO pha tạp nặng dạng Gauss;tán xạ điện tử bằng thăng giáng nồng độ donor do bề mặt nhám; tán xạ điện tử bởi các điện tích phân cực định xứ trên bề mặt thực trong cấu trúc dị chất.

Hiện tại chưa có bình luận nào về tài liệu này.

Đăng nhập để gửi bình luận.
VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM - TRUNG TÂM THÔNG TIN TƯ LIỆU
Địa chỉ: Nhà A11- Số 18 - Hoàng Quốc Việt - Hà Nội - Việt Nam
Điện thoại: 043.756 4344 - Fax: 043.756.4344
Email: vanthu@isi.vast.vn