GIỜ PHỤC VỤ BẠN ĐỌC

Từ thứ 2 đến thứ 6
- Sáng: 8:30 - 11:30
- Chiều: 13:30 - 16:30
Thứ 7, CN thư viện nghỉ

Quy trình công nghệ chế tạo Diode phát quang màu đỏ Gap bằng phương pháp Epitaxi lỏng (Biểu ghi số 3892)

000 -Đầu biểu
Trường điều khiển có độ dài cố định 04221nam a2200397 a 4500
003 - ID của mã điều khiển
Trường điều khiển ISI-VAST
005 - Ngày giờ giao dịch gần nhất
Trường điều khiển 20151030172328.0
008 - Cấu thành dữ liệu có độ dài cố định -- Thông tin chung
Trường điều khiển có độ dài cố định 101112s1984 vm |||||||||||||||||vie||
100 ## - Mục từ chính --- Tên riêng
Danh xưng và các từ ngữ khác được gắn với tên riêng PTS
Họ tên riêng Nguyễn Thanh Nghị
Mục từ liên quan Chủ nhiệm
245 ## - Thông tin về nhan đề
Nhan đề chính Quy trình công nghệ chế tạo Diode phát quang màu đỏ Gap bằng phương pháp Epitaxi lỏng
Thông tin trách nhiệm Chủ nhiệm đề tài: Nguyễn Thanh Nghị; Cán bộ tham gia: Nguyễn Thị Quí Hải và những người khác
260 ## - Thông tin về xuất bản, phát hành
Ngày tháng xuất bản, phát hành 1984
300 ## - Mô tả vật lý
Khổ 67tr.
500 ## - Ghi chú chung
Ghi chú chung Kết quả đề tài: Đạt
500 ## - Ghi chú chung
Ghi chú chung Nhằm giảm giá thành đơn tinh thể khối GaP. Giảm giá thành của linh kiện GaP, tiết kiệm dung môi Ga, tăng năng suất kết tinh vật liệu trên đế, dùng công nghệ khuếch tán
518 ## - Ghi chú về ngày giờ và địa điểm của một sự kiện
Ghi chú về ngày giờ và địa điểm của một sự kiện Năm bắt đầu thực hiện: 1984
518 ## - Ghi chú về ngày giờ và địa điểm của một sự kiện
Ghi chú về ngày giờ và địa điểm của một sự kiện Năm kết thúc thực hiện: 1984
518 ## - Ghi chú về ngày giờ và địa điểm của một sự kiện
Ghi chú về ngày giờ và địa điểm của một sự kiện Năm nghiệm thu: 31/12/1984
520 ## - Tóm tắt, v...v...
Tóm tắt, v...v... Qua một thời gian nghiên cứu, thử nghiệm tập thể tác giả đã thiết kế và xây dựng thành công một qui trình công nghệ chế tạo diode phát quang đỏ GaP thích hợp với sản xuất hàng loạt. Đây là một qui trình đơn giản, tiết kiệm, sử dụng phương pháp tạo chuyên tiếp p-n tiên tiến và kinh tế không đòi hỏi thiết bị công nghệ đắt tiền và đầu tư lớn, hợp với điều kiện Việt Nam hiện nay. Bằng các thiết bị phần lớn là tự tạo chúng tôi đã triển khai sản xuất thử hàng loạt nhỏ (4000-5000 diode mỗi đợt thí nghiệm) có các thông số đạt yêu cầu sử dụng, chất lượng tương đương với linh kiện cùng loại sản xuất ở các nước xã hội chủ nghĩa khác, giá thành hạ độ lặp lại cao. \Thành công của qui trình này có ý nghĩa không chỉ ở chỗ là nó tạo ra tiền đề cho việc sản xuất linh kiện phát quang công nghiệp tiên tiến và kinh tế mà còn đặt ra các vấn đề nghiên cứu có tính chất cơ bản và thời sự trong lĩnh vực vật lý và công nghệ linh kiện như: động học kết tinh từ pha lỏng, ảnh hưởng của các yếu tố công nghệ lên chất lượng và độ đồng đều của vật liệu và linh kiện, sự già hoá và độ tin cậy của linh kiện....đã và đang được các tác giả triển khai. \Tất nhiên việc triển khai sản xuất linh kiện phá quang với qui mô lớn hơn ở nước ta còn phụ thuộc vào nhiều yếu tố khách quan như nhu cầu tiêu thụ, vật liệu gốc, nhân lực, thiết bị... Về phía tác giả nếu như có nhu cầu sản xuất và được đầu tư thêm sẽ tiếp tục hoàn thiện qui trình, nghiên cứu cải tiến khâu lắp ráp để đạt hiệu suất cao hơn, tăng độ tin cậy và tuổi thọ của linh kiện, hạ giá thành sản phẩm. Theo hướng này có thể hy vọng rằng trong tương lai không xa chúng ta sẽ có các diode phát quan rẻ tiền đạt tiêu chuẩn quốc tế, phục vụ cho các yêu cầu khác nhau của ngành kỹ thuật điện tử và xuất khẩu
520 ## - Tóm tắt, v...v...
Tóm tắt, v...v... Trình bày cụ thể về qui trình công nghệ này và kết quả khảo sát một số đặc trưng cơ bản của diode phát quan đỏ GaP chế tạo được tại Viện Vật lý
526 ## - Ghi chú thông tin của một chương trình học, nghiên cứu
Tên của chương trình Điện tử Nhà nước
653 ## - Thuật ngữ chỉ mục -- Không kiểm soát
Thuật ngữ không kiểm soát Diode phát quang
653 ## - Thuật ngữ chỉ mục -- Không kiểm soát
Thuật ngữ không kiểm soát Epitaxi lỏng
653 ## - Thuật ngữ chỉ mục -- Không kiểm soát
Thuật ngữ không kiểm soát Vật lý
700 ## - Mục từ bổ trợ -- Tên riêng
Tên riêng Dương Anh Tuấn
700 ## - Mục từ bổ trợ -- Tên riêng
Tên riêng Đào Đức Khang
700 ## - Mục từ bổ trợ -- Tên riêng
Tên riêng Nguyễn Học
700 ## - Mục từ bổ trợ -- Tên riêng
Tên riêng Nguyễn Ngọc Toàn
700 ## - Mục từ bổ trợ -- Tên riêng
Tên riêng Nguyễn Thị Quí Hải
700 ## - Mục từ bổ trợ -- Tên riêng
Tên riêng Nguyễn Văn Vượng
700 ## - Mục từ bổ trợ -- Tên riêng
Tên riêng Nguyễn Xuân Nghĩa
720 ## - Mục từ bổ trợ -- Các tên riêng không kiểm soát
Tên Viện Vật lý
Thuật ngữ liên quan Chủ trì đề tài
900 ## - Tên cá nhân-Tham khảo-Tương đương hoặc gần giống [LOCAL, CANADA]
Số hiệu Số bảng biểu: 10
Nhan đề hoặc từ ngữ liên quan đến tên Số hình vẽ: 33
911 ## - EQUIVALENCE OR CROSS-REFERENCE-CONFERENCE OR MEETING NAME [LOCAL, CANADA]
Meeting name or jurisdiction name as entry element Người nhập: Nguyễn Thị Cơ
-- Người XL: Trần Ngọc Hoa
Number [OBSOLETE] Ngày XL: 12/11/2010
942 ## - Dạng tài liệu (KOHA)
Dạng tài liệu mặc định (Koha) Báo cáo đề tài KHCN
ĐKCB
Thư viện sở hữu Ngày áp dụng giá thay thế Thư viện hiện tại Kho tài liệu Kiểu tài liệu Trạng thái hư hỏng Không cho mượn Trạng thái mất tài liệu Đăng ký cá biệt Cập nhật lần cuối Ngày bổ sung Loại khỏi lưu thông
Trung tâm Thông tin - Tư liệu2015-10-30Trung tâm Thông tin - Tư liệuPhòng lưu trữ_P307Báo cáo đề tài KHCNSẵn sàngSẵn sàngSẵn sàngĐT14-1182015-10-302015-10-30 
VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM - TRUNG TÂM THÔNG TIN TƯ LIỆU
Địa chỉ: Nhà A11- Số 18 - Hoàng Quốc Việt - Hà Nội - Việt Nam
Điện thoại: 043.756 4344 - Fax: 043.756.4344
Email: vanthu@isi.vast.vn