Quy trình công nghệ chế tạo Diode phát quang màu đỏ Gap bằng phương pháp Epitaxi lỏng (Biểu ghi số 3892)
[ Hiển thị MARC ]
000 -Đầu biểu | |
---|---|
Trường điều khiển có độ dài cố định | 04221nam a2200397 a 4500 |
003 - ID của mã điều khiển | |
Trường điều khiển | ISI-VAST |
005 - Ngày giờ giao dịch gần nhất | |
Trường điều khiển | 20151030172328.0 |
008 - Cấu thành dữ liệu có độ dài cố định -- Thông tin chung | |
Trường điều khiển có độ dài cố định | 101112s1984 vm |||||||||||||||||vie|| |
100 ## - Mục từ chính --- Tên riêng | |
Danh xưng và các từ ngữ khác được gắn với tên riêng | PTS |
Họ tên riêng | Nguyễn Thanh Nghị |
Mục từ liên quan | Chủ nhiệm |
245 ## - Thông tin về nhan đề | |
Nhan đề chính | Quy trình công nghệ chế tạo Diode phát quang màu đỏ Gap bằng phương pháp Epitaxi lỏng |
Thông tin trách nhiệm | Chủ nhiệm đề tài: Nguyễn Thanh Nghị; Cán bộ tham gia: Nguyễn Thị Quí Hải và những người khác |
260 ## - Thông tin về xuất bản, phát hành | |
Ngày tháng xuất bản, phát hành | 1984 |
300 ## - Mô tả vật lý | |
Khổ | 67tr. |
500 ## - Ghi chú chung | |
Ghi chú chung | Kết quả đề tài: Đạt |
500 ## - Ghi chú chung | |
Ghi chú chung | Nhằm giảm giá thành đơn tinh thể khối GaP. Giảm giá thành của linh kiện GaP, tiết kiệm dung môi Ga, tăng năng suất kết tinh vật liệu trên đế, dùng công nghệ khuếch tán |
518 ## - Ghi chú về ngày giờ và địa điểm của một sự kiện | |
Ghi chú về ngày giờ và địa điểm của một sự kiện | Năm bắt đầu thực hiện: 1984 |
518 ## - Ghi chú về ngày giờ và địa điểm của một sự kiện | |
Ghi chú về ngày giờ và địa điểm của một sự kiện | Năm kết thúc thực hiện: 1984 |
518 ## - Ghi chú về ngày giờ và địa điểm của một sự kiện | |
Ghi chú về ngày giờ và địa điểm của một sự kiện | Năm nghiệm thu: 31/12/1984 |
520 ## - Tóm tắt, v...v... | |
Tóm tắt, v...v... | Qua một thời gian nghiên cứu, thử nghiệm tập thể tác giả đã thiết kế và xây dựng thành công một qui trình công nghệ chế tạo diode phát quang đỏ GaP thích hợp với sản xuất hàng loạt. Đây là một qui trình đơn giản, tiết kiệm, sử dụng phương pháp tạo chuyên tiếp p-n tiên tiến và kinh tế không đòi hỏi thiết bị công nghệ đắt tiền và đầu tư lớn, hợp với điều kiện Việt Nam hiện nay. Bằng các thiết bị phần lớn là tự tạo chúng tôi đã triển khai sản xuất thử hàng loạt nhỏ (4000-5000 diode mỗi đợt thí nghiệm) có các thông số đạt yêu cầu sử dụng, chất lượng tương đương với linh kiện cùng loại sản xuất ở các nước xã hội chủ nghĩa khác, giá thành hạ độ lặp lại cao. \Thành công của qui trình này có ý nghĩa không chỉ ở chỗ là nó tạo ra tiền đề cho việc sản xuất linh kiện phát quang công nghiệp tiên tiến và kinh tế mà còn đặt ra các vấn đề nghiên cứu có tính chất cơ bản và thời sự trong lĩnh vực vật lý và công nghệ linh kiện như: động học kết tinh từ pha lỏng, ảnh hưởng của các yếu tố công nghệ lên chất lượng và độ đồng đều của vật liệu và linh kiện, sự già hoá và độ tin cậy của linh kiện....đã và đang được các tác giả triển khai. \Tất nhiên việc triển khai sản xuất linh kiện phá quang với qui mô lớn hơn ở nước ta còn phụ thuộc vào nhiều yếu tố khách quan như nhu cầu tiêu thụ, vật liệu gốc, nhân lực, thiết bị... Về phía tác giả nếu như có nhu cầu sản xuất và được đầu tư thêm sẽ tiếp tục hoàn thiện qui trình, nghiên cứu cải tiến khâu lắp ráp để đạt hiệu suất cao hơn, tăng độ tin cậy và tuổi thọ của linh kiện, hạ giá thành sản phẩm. Theo hướng này có thể hy vọng rằng trong tương lai không xa chúng ta sẽ có các diode phát quan rẻ tiền đạt tiêu chuẩn quốc tế, phục vụ cho các yêu cầu khác nhau của ngành kỹ thuật điện tử và xuất khẩu |
520 ## - Tóm tắt, v...v... | |
Tóm tắt, v...v... | Trình bày cụ thể về qui trình công nghệ này và kết quả khảo sát một số đặc trưng cơ bản của diode phát quan đỏ GaP chế tạo được tại Viện Vật lý |
526 ## - Ghi chú thông tin của một chương trình học, nghiên cứu | |
Tên của chương trình | Điện tử Nhà nước |
653 ## - Thuật ngữ chỉ mục -- Không kiểm soát | |
Thuật ngữ không kiểm soát | Diode phát quang |
653 ## - Thuật ngữ chỉ mục -- Không kiểm soát | |
Thuật ngữ không kiểm soát | Epitaxi lỏng |
653 ## - Thuật ngữ chỉ mục -- Không kiểm soát | |
Thuật ngữ không kiểm soát | Vật lý |
700 ## - Mục từ bổ trợ -- Tên riêng | |
Tên riêng | Dương Anh Tuấn |
700 ## - Mục từ bổ trợ -- Tên riêng | |
Tên riêng | Đào Đức Khang |
700 ## - Mục từ bổ trợ -- Tên riêng | |
Tên riêng | Nguyễn Học |
700 ## - Mục từ bổ trợ -- Tên riêng | |
Tên riêng | Nguyễn Ngọc Toàn |
700 ## - Mục từ bổ trợ -- Tên riêng | |
Tên riêng | Nguyễn Thị Quí Hải |
700 ## - Mục từ bổ trợ -- Tên riêng | |
Tên riêng | Nguyễn Văn Vượng |
700 ## - Mục từ bổ trợ -- Tên riêng | |
Tên riêng | Nguyễn Xuân Nghĩa |
720 ## - Mục từ bổ trợ -- Các tên riêng không kiểm soát | |
Tên | Viện Vật lý |
Thuật ngữ liên quan | Chủ trì đề tài |
900 ## - Tên cá nhân-Tham khảo-Tương đương hoặc gần giống [LOCAL, CANADA] | |
Số hiệu | Số bảng biểu: 10 |
Nhan đề hoặc từ ngữ liên quan đến tên | Số hình vẽ: 33 |
911 ## - EQUIVALENCE OR CROSS-REFERENCE-CONFERENCE OR MEETING NAME [LOCAL, CANADA] | |
Meeting name or jurisdiction name as entry element | Người nhập: Nguyễn Thị Cơ |
-- | Người XL: Trần Ngọc Hoa |
Number [OBSOLETE] | Ngày XL: 12/11/2010 |
942 ## - Dạng tài liệu (KOHA) | |
Dạng tài liệu mặc định (Koha) | Báo cáo đề tài KHCN |
Thư viện sở hữu | Ngày áp dụng giá thay thế | Thư viện hiện tại | Kho tài liệu | Kiểu tài liệu | Trạng thái hư hỏng | Không cho mượn | Trạng thái mất tài liệu | Đăng ký cá biệt | Cập nhật lần cuối | Ngày bổ sung | Loại khỏi lưu thông |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Trung tâm Thông tin - Tư liệu | 2015-10-30 | Trung tâm Thông tin - Tư liệu | Phòng lưu trữ_P307 | Báo cáo đề tài KHCN | Sẵn sàng | Sẵn sàng | Sẵn sàng | ĐT14-118 | 2015-10-30 | 2015-10-30 |