GIỜ PHỤC VỤ BẠN ĐỌC

Từ thứ 2 đến thứ 6
- Sáng: 8:30 - 11:30
- Chiều: 13:30 - 16:30
Thứ 7, CN thư viện nghỉ
Lê, Bá Hải

Tán xạ Raman trong cấu trúc Ga1-x, Alx As/GaAs pha tạp Lê Bá Hải; Hướng dẫn: TS. Nguyễn Xuân Nghĩa - Hà Nội Viện Vật lý 2003 - 60tr.

Luận án Thạc sĩ Vật lý Viện Vật lý

Luận án nghiên cứu tán xạ Raman trong môi trường bất trật tự Ga1-x Alx As, ảnh hưởng của hàm lượng Al đến các đặc trưng của phổ Raman, nghiên cứu tương tác phonon LO - Plasmon trong các vật liệu khác nhau và có độ dẫn khác nhau của cấu trúcGa1-x Alx As/ GaAs, xác định nồng độ hạt tải tự do trong vật liệu GaAs có độ dẫn điện loại n và loại p, khảo sát một số dạng defect trên bề mặt màng Ga1-x Alx As

Quang phổ Tán xạ Raman Vật lý Vật lý kỹ thuật

01.02.18
VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM - TRUNG TÂM THÔNG TIN TƯ LIỆU
Địa chỉ: Nhà A11- Số 18 - Hoàng Quốc Việt - Hà Nội - Việt Nam
Điện thoại: 043.756 4344 - Fax: 043.756.4344
Email: vanthu@isi.vast.vn